Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JANTX1N5809US

Microsemi Corporation - JANTX1N5809US

KEY Part #: K6431138

JANTX1N5809US Prissætning (USD) [9042stk Lager]

  • 1 pcs$5.38349
  • 100 pcs$5.35671
Varenummer:
JANTX1N5809US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF. Rectifiers Rectifier
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Dioder - Bridge Rectifiers ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JANTX1N5809US elektroniske komponenter. JANTX1N5809US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JANTX1N5809US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5809US Produktegenskaber

Varenummer : JANTX1N5809US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 100V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 3A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 875mV @ 4A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapacitans @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : SQ-MELF, B
Leverandør Device Package : B, SQ-MELF
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • SS1FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • AS3PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • AU2PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC,FER, Avalanche SM

  • V15P10-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 15A Single Die SMPC (TO-277A)

  • AU3PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V,FER, Avalanche SM

  • V8P6-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 4.2A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 8A, 60V,TRENCH SKY RECT.

Varme dele