VS-25ETS12S-M3 Prissætning (USD) [86098stk Lager]
- 1 pcs$0.47923
- 1,000 pcs$0.47684
- Varenummer:
- VS-25ETS12S-M3
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Dioder - Zener - Single, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division VS-25ETS12S-M3 elektroniske komponenter. VS-25ETS12S-M3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til VS-25ETS12S-M3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
VS-25ETS12S-M3 Produktegenskaber
Varenummer :
VS-25ETS12S-M3
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A TO263AB
Serie :
-
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
1200V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
25A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.14V @ 25A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
100µA @ 1200V
Kapacitans @ Vr, F :
-
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverandør Device Package :
TO-263 (D2Pak)
Driftstemperatur - Junction :
-40°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Varme dele
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18