Infineon Technologies - IPD25CN10NGATMA1

KEY Part #: K6403603

IPD25CN10NGATMA1 Prissætning (USD) [179935stk Lager]

  • 1 pcs$0.20556
  • 2,500 pcs$0.19740

Varenummer:
IPD25CN10NGATMA1
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1 elektroniske komponenter. IPD25CN10NGATMA1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IPD25CN10NGATMA1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD25CN10NGATMA1 Produktegenskaber

Varenummer : IPD25CN10NGATMA1
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Serie : OptiMOS™
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 39µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2070pF @ 50V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 71W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : PG-TO252-3
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63