Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. BYV30JT-600PQ

WeEn Semiconductors - BYV30JT-600PQ

KEY Part #: K6440506

[3795stk Lager]

    Varenummer:
    BYV30JT-600PQ
    Fabrikant:
    WeEn Semiconductors
    Detaljeret beskrivelse:
    DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P. Rectifiers BYV30JT-600PQ/TO3PF/STANDARD M
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Power Driver Modules ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i WeEn Semiconductors BYV30JT-600PQ elektroniske komponenter. BYV30JT-600PQ kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til BYV30JT-600PQ, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BYV30JT-600PQ Produktegenskaber

    Varenummer : BYV30JT-600PQ
    Fabrikant : WeEn Semiconductors
    Beskrivelse : DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
    Serie : -
    Del Status : Active
    Diodetype : Standard
    Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V
    Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 30A
    Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.8V @ 30A
    Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 65ns
    Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 10µA @ 600V
    Kapacitans @ Vr, F : -
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / tilfælde : TO-3P-3, SC-65-3
    Leverandør Device Package : TO-3P
    Driftstemperatur - Junction : 175°C (Max)
    Du kan også være interesseret i
    • VS-80APS08-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3

    • V20100S-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 100 Volt Single TrenchMOS

    • EGP20G-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 400 Volt

    • RGP15K-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC. Rectifiers 800 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • RGP15M-E3/73

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204. Rectifiers 1000 Volt 1.5A 500ns 50 Amp IFSM

    • 1N5395GP-E3/54

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 1.5 Amp 400 Volt Glass Passivated

    Varme dele