ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS64WV12816EDBLL-10BLA3

KEY Part #: K938099

IS64WV12816EDBLL-10BLA3 Prissætning (USD) [19233stk Lager]

  • 1 pcs$2.38239

Varenummer:
IS64WV12816EDBLL-10BLA3
Fabrikant:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaljeret beskrivelse:
IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA. SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Lineære - Analog Multiplikatorer, Dividere, PMIC - LED-drivere, Logik - Oversættere, Level Shifters, Logik - Signalafbrydere, Multiplexere, Dekodere, Interface - Sensor og Detektor Interfaces, PMIC - ELLER Controllers, Ideal Diodes, Lineære - Sammenligninger and Interface - drivere, modtagere, transceivere ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3 elektroniske komponenter. IS64WV12816EDBLL-10BLA3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IS64WV12816EDBLL-10BLA3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS64WV12816EDBLL-10BLA3 Produktegenskaber

Varenummer : IS64WV12816EDBLL-10BLA3
Fabrikant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beskrivelse : IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : SRAM
Teknologi : SRAM - Asynchronous
Hukommelsesstørrelse : 2Mb (128K x 16)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 10ns
Adgangstid : 10ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 2.4V ~ 3.6V
Driftstemperatur : -40°C ~ 125°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 48-TFBGA
Leverandør Device Package : 48-TFBGA (6x8)

Du kan også være interesseret i
  • GD25S512MDFIGR

    GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

    NOR FLASH.

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58NVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)