Infineon Technologies - IRFR825TRPBF

KEY Part #: K6420364

IRFR825TRPBF Prissætning (USD) [188027stk Lager]

  • 1 pcs$0.19671
  • 2,000 pcs$0.16810

Varenummer:
IRFR825TRPBF
Fabrikant:
Infineon Technologies
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Dioder - Zener - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Rectifiers - Single and Dioder - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Infineon Technologies IRFR825TRPBF elektroniske komponenter. IRFR825TRPBF kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til IRFR825TRPBF, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR825TRPBF Produktegenskaber

Varenummer : IRFR825TRPBF
Fabrikant : Infineon Technologies
Beskrivelse : MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Serie : HEXFET®
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 500V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 1346pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 119W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : D-Pak
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interesseret i