Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. 1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor - 1N8030-GA

KEY Part #: K6428136

1N8030-GA Prissætning (USD) [488stk Lager]

  • 1 pcs$89.56064
  • 10 pcs$85.23848
  • 25 pcs$82.15037
Varenummer:
1N8030-GA
Fabrikant:
GeneSiC Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased and Transistorer - Særligt formål ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA elektroniske komponenter. 1N8030-GA kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til 1N8030-GA, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8030-GA Produktegenskaber

Varenummer : 1N8030-GA
Fabrikant : GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Serie : -
Del Status : Obsolete
Diodetype : Silicon Carbide Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 650V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 750mA
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.39V @ 750mA
Hastighed : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 650V
Kapacitans @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : TO-257-3
Leverandør Device Package : TO-257
Driftstemperatur - Junction : -55°C ~ 250°C
Du kan også være interesseret i
  • GP2D012A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2.

  • STPS30M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 30A

  • CDBFN140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V, IO=1A

  • V35PW12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 45V TMBS eSMP Trench MOS

Varme dele