Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - IGBT'er - Moduler
  5. GHIS080A120S-A1

Global Power Technologies Group - GHIS080A120S-A1

KEY Part #: K6532572

GHIS080A120S-A1 Prissætning (USD) [1721stk Lager]

  • 1 pcs$25.15719
  • 10 pcs$23.67648
  • 25 pcs$22.19670
  • 100 pcs$21.16086
Varenummer:
GHIS080A120S-A1
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Detaljeret beskrivelse:
IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction and Transistorer - IGBT'er - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Global Power Technologies Group GHIS080A120S-A1 elektroniske komponenter. GHIS080A120S-A1 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til GHIS080A120S-A1, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GHIS080A120S-A1 Produktegenskaber

Varenummer : GHIS080A120S-A1
Fabrikant : Global Power Technologies Group
Beskrivelse : IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227
Serie : -
Del Status : Active
IGBT Type : Trench Field Stop
Konfiguration : Single
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 1200V
Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 160A
Strøm - Max : 480W
Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.6V @ 15V, 80A
Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 2mA
Inputkapacitans (Cies) @ Vce : 10.3nF @ 30V
Input : Standard
NTC-termistor : No
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / tilfælde : SOT-227-4, miniBLOC
Leverandør Device Package : SOT-227

Seneste nyt

Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
Du kan også være interesseret i
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

Varme dele