Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single
  5. GP1M009A090H

Global Power Technologies Group - GP1M009A090H

KEY Part #: K6402685

[2618stk Lager]

    Varenummer:
    GP1M009A090H
    Fabrikant:
    Global Power Technologies Group
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET N-CH 900V 9A TO220.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Programmerbar Unijunction, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Global Power Technologies Group GP1M009A090H elektroniske komponenter. GP1M009A090H kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til GP1M009A090H, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M009A090H Produktegenskaber

    Varenummer : GP1M009A090H
    Fabrikant : Global Power Technologies Group
    Beskrivelse : MOSFET N-CH 900V 9A TO220
    Serie : -
    Del Status : Obsolete
    FET Type : N-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 900V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 2324pF @ 25V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 290W (Tc)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Leverandør Device Package : TO-220
    Pakke / tilfælde : TO-220-3

    Seneste nyt

    Global Specialties DSC-5300 Digital Storage Oscilloscope (DSO)
    Global Specialties 1415 Dual Output DC Power Supply
    Du kan også være interesseret i
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    Varme dele