Vishay Siliconix - SQ3425EV-T1_GE3

KEY Part #: K6405140

SQ3425EV-T1_GE3 Prissætning (USD) [366462stk Lager]

  • 1 pcs$0.10093
  • 3,000 pcs$0.09710

Varenummer:
SQ3425EV-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Særligt formål, Dioder - Zener - Single, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - IGBT'er - Arrays and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SQ3425EV-T1_GE3 elektroniske komponenter. SQ3425EV-T1_GE3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SQ3425EV-T1_GE3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3425EV-T1_GE3 Produktegenskaber

Varenummer : SQ3425EV-T1_GE3
Fabrikant : Vishay Siliconix
Beskrivelse : MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del Status : Active
FET Type : P-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 20V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 10.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 5W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : 6-TSOP
Pakke / tilfælde : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6