Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Transistorer - IGBT'er - Single
  5. HGT1S2N120CN

ON Semiconductor - HGT1S2N120CN

KEY Part #: K6424360

[9336stk Lager]

    Varenummer:
    HGT1S2N120CN
    Fabrikant:
    ON Semiconductor
    Detaljeret beskrivelse:
    IGBT 1200V 13A 104W I2PAK.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Thyristorer - SCR'er - Moduler and Thyristorer - SCR'er ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i ON Semiconductor HGT1S2N120CN elektroniske komponenter. HGT1S2N120CN kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til HGT1S2N120CN, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HGT1S2N120CN Produktegenskaber

    Varenummer : HGT1S2N120CN
    Fabrikant : ON Semiconductor
    Beskrivelse : IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
    Serie : -
    Del Status : Obsolete
    IGBT Type : NPT
    Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 1200V
    Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 13A
    Nuværende - Collector Pulsed (Icm) : 20A
    Vce (på) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 2.6A
    Strøm - Max : 104W
    Skifte energi : 96µJ (on), 355µJ (off)
    Input Type : Standard
    Gate Charge : 30nC
    Td (tænd / sluk) @ 25 ° C : 25ns/205ns
    Test betingelse : 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
    Reverse Recovery Time (trr) : -
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Through Hole
    Pakke / tilfælde : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
    Leverandør Device Package : TO-262

    Seneste nyt

    ON Semiconductor NCP171 LDO Regulator
    ON Semiconductor FSL538AFLYGEVB Evaluation Board
    ON Semiconductor FSA515 Depletion Switch
    ON Semiconductor LV8316H Single-Phase Motor Driver
    ON Semiconductor NCS2191x Precision Op Amplifiers
    ON Semiconductor NCP1096 High Power PoE-PD w/ Internal Hot Swap FET
    ON Semiconductor NTMYS010N04CL 40V Industrial Power MOSFET
    ON Semiconductor NTTFS6H850NL Single N-Channel Power MOSFET
    ON Semiconductor NVTFS010N10MCL 100V 53A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor NCP13992 Evaluation Board
    ON Semiconductor NVMFD6H852NL 80V 25A Automotive Power MOSFET
    ON Semiconductor LFPAK4 Industrial Power MOSFETs
    Du kan også være interesseret i
    Varme dele