Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. JAN1N5811US

Microsemi Corporation - JAN1N5811US

KEY Part #: K6427766

JAN1N5811US Prissætning (USD) [9400stk Lager]

  • 1 pcs$4.66293
  • 100 pcs$4.63973
Varenummer:
JAN1N5811US
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 150V HR SM
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Power Driver Modules, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - JFET'er, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - IGBT'er - Single and Transistorer - Bipolar (BJT) - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation JAN1N5811US elektroniske komponenter. JAN1N5811US kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til JAN1N5811US, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5811US Produktegenskaber

Varenummer : JAN1N5811US
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Del Status : Active
Diodetype : Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 150V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 6A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 875mV @ 4A
Hastighed : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 150V
Kapacitans @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : SQ-MELF, B
Leverandør Device Package : B, SQ-MELF
Driftstemperatur - Junction : -65°C ~ 175°C

Seneste nyt

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Du kan også være interesseret i
  • GP2D003A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2.

  • V20PW60HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PWM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 20A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V20PW15-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V20PWM45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 20A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Single Die TO-252AE 20A If(AV)

  • V35PW10HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

Varme dele