Microsemi Corporation - APTMC60TL11CT3AG

KEY Part #: K6523767

APTMC60TL11CT3AG Prissætning (USD) [4055stk Lager]

  • 100 pcs$97.63581

Varenummer:
APTMC60TL11CT3AG
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Dioder - RF, Transistorer - IGBT'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Zener - Arrays and Thyristorer - TRIACs ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTMC60TL11CT3AG elektroniske komponenter. APTMC60TL11CT3AG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTMC60TL11CT3AG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TL11CT3AG Produktegenskaber

Varenummer : APTMC60TL11CT3AG
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET 4N-CH 1200V 28A SP3
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-funktion : Silicon Carbide (SiC)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 1200V (1.2kV)
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 950pF @ 1000V
Strøm - Max : 125W
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Pakke / tilfælde : SP3
Leverandør Device Package : SP3