S4M M6G Prissætning (USD) [604455stk Lager]
- 1 pcs$0.06119
- Varenummer:
- S4M M6G
- Fabrikant:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 4A DO214AB.
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Bridge Rectifiers, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6G elektroniske komponenter. S4M M6G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til S4M M6G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
S4M M6G Produktegenskaber
Varenummer :
S4M M6G
Fabrikant :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 4A DO214AB
Serie :
-
Del Status :
Not For New Designs
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
-
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
4A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.15V @ 4A
Hastighed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
1.5µs
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
100µA @ 1000V
Kapacitans @ Vr, F :
60pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214AB, SMC
Leverandør Device Package :
DO-214AB (SMC)
Driftstemperatur - Junction :
-55°C ~ 150°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
-
GL41YHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
RGL34KHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM
-
GL34BHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34AHE3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Varme dele
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08