Varenummer :
STB12NM60N-1
Fabrikant :
STMicroelectronics
Beskrivelse :
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) :
600V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
30.5nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds :
960pF @ 50V
Power Dissipation (Max) :
90W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype :
Through Hole
Leverandør Device Package :
I2PAK
Pakke / tilfælde :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA