ON Semiconductor - SSVMUN5312DW1T2G

KEY Part #: K6528817

SSVMUN5312DW1T2G Prissætning (USD) [877311stk Lager]

  • 1 pcs$0.04216
  • 6,000 pcs$0.03981

Varenummer:
SSVMUN5312DW1T2G
Fabrikant:
ON Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Dioder - Zener - Single, Dioder - Rectifiers - Arrays, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - JFET'er, Dioder - RF and Dioder - Rectifiers - Single ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i ON Semiconductor SSVMUN5312DW1T2G elektroniske komponenter. SSVMUN5312DW1T2G kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SSVMUN5312DW1T2G, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSVMUN5312DW1T2G Produktegenskaber

Varenummer : SSVMUN5312DW1T2G
Fabrikant : ON Semiconductor
Beskrivelse : TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
Serie : -
Del Status : Active
Transistor Type : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Nuværende - Samler (Ic) (Max) : 100mA
Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max) : 50V
Modstand - Base (R1) : 22 kOhms
Modstand - Emitterbase (R2) : 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 60 @ 5mA, 10V
Vce Mætning (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Nuværende - Collector Cutoff (Max) : 500nA
Frekvens - Overgang : -
Strøm - Max : 187mW
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Leverandør Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363

Du kan også være interesseret i