Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Hvis din placering ikke er angivet, skal du vælge et af følgende:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Hjem
  2. Produkter
  3. Diskrete halvlederprodukter
  4. Dioder - Rectifiers - Single
  5. GB02SHT06-46

GeneSiC Semiconductor - GB02SHT06-46

KEY Part #: K6440058

GB02SHT06-46 Prissætning (USD) [1740stk Lager]

  • 1 pcs$25.86141
  • 10 pcs$24.18241
  • 25 pcs$22.36534
  • 100 pcs$20.96748
Varenummer:
GB02SHT06-46
Fabrikant:
GeneSiC Semiconductor
Detaljeret beskrivelse:
DIODE SCHOTTKY 600V 4A. Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristorer - TRIACs, Dioder - Bridge Rectifiers and Transistorer - Bipolar (BJT) - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i GeneSiC Semiconductor GB02SHT06-46 elektroniske komponenter. GB02SHT06-46 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til GB02SHT06-46, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SHT06-46 Produktegenskaber

Varenummer : GB02SHT06-46
Fabrikant : GeneSiC Semiconductor
Beskrivelse : DIODE SCHOTTKY 600V 4A
Serie : -
Del Status : Active
Diodetype : Silicon Carbide Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) : 600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) : 4A (DC)
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis : 1.6V @ 1A
Hastighed : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
Monteringstype : Through Hole
Pakke / tilfælde : TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Leverandør Device Package : TO-46
Driftstemperatur - Junction : -55°C ~ 225°C
Du kan også være interesseret i
  • BAS29

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA

  • 1N4448W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns

  • GSD2004W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT43W-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • BAT54W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA Single

  • BAS16D-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS

Varme dele