RGF1JHE3/67A Prissætning (USD) [506068stk Lager]
- 1 pcs$0.07309
- 6,000 pcs$0.06624
- Varenummer:
- RGF1JHE3/67A
- Fabrikant:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaljeret beskrivelse:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM
- Producentens standard ledetid:
- På lager
- Opbevaringstid:
- Et år
- Chip fra:
- Hong Kong
- RoHS:
- Betalingsmetode:
-
- Forsendelsesmåde:
- Familiekategorier:
- KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Særligt formål, Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Rectifiers - Single, Transistorer - JFET'er, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors), Transistorer - IGBT'er - Arrays and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays ...
- Konkurrencefordel:
- Vi er specialiserede i Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1JHE3/67A elektroniske komponenter. RGF1JHE3/67A kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til RGF1JHE3/67A, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
RGF1JHE3/67A Produktegenskaber
Varenummer :
RGF1JHE3/67A
Fabrikant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beskrivelse :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
Serie :
SUPERECTIFIER®
Del Status :
Active
Diodetype :
Standard
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) :
600V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) :
1A
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis :
1.3V @ 1A
Hastighed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
250ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr :
5µA @ 600V
Kapacitans @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Monteringstype :
Surface Mount
Pakke / tilfælde :
DO-214BA
Leverandør Device Package :
DO-214BA (GF1)
Driftstemperatur - Junction :
-65°C ~ 175°C
Seneste nyt
Du kan også være interesseret i
-
ES1D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt
-
US1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
-
ES2CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
ES2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD
-
MURS120HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD
Varme dele
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54