Micron Technology Inc. - MT29F4G08ABBEAH4-IT:E

KEY Part #: K938349

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Prissætning (USD) [20190stk Lager]

  • 1 pcs$2.34783
  • 1,260 pcs$2.33615

Varenummer:
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Fabrikant:
Micron Technology Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 4G 512MX8 FBGA
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Interface - Controllers, Interface - Modemer - IC'er og moduler, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Logik - Gates and Inverters, PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers, PMIC - Hot Swap Controllers, Embedded - FPGA'er (Field Programmerbar Gate Array and PMIC - V / F og F / V konvertere ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT:E elektroniske komponenter. MT29F4G08ABBEAH4-IT:E kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til MT29F4G08ABBEAH4-IT:E, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT29F4G08ABBEAH4-IT:E Produktegenskaber

Varenummer : MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
Fabrikant : Micron Technology Inc.
Beskrivelse : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Non-Volatile
Hukommelsesformat : FLASH
Teknologi : FLASH - NAND
Hukommelsesstørrelse : 4Gb (512M x 8)
Urfrekvens : -
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : -
Adgangstid : -
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 1.7V ~ 1.95V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 63-VFBGA
Leverandør Device Package : 63-VFBGA (9x11)

Du kan også være interesseret i
  • MR25H10CDCR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • MR25H10CDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM

  • W25M512JVFIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • 71V25761S166PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • W9812G2KB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,