Alliance Memory, Inc. - AS4C2M32S-6BIN

KEY Part #: K938185

AS4C2M32S-6BIN Prissætning (USD) [19471stk Lager]

  • 1 pcs$2.26079
  • 10 pcs$2.06512
  • 25 pcs$2.02563
  • 50 pcs$2.01171
  • 100 pcs$1.80467
  • 250 pcs$1.79772
  • 500 pcs$1.68551
  • 1,000 pcs$1.61379

Varenummer:
AS4C2M32S-6BIN
Fabrikant:
Alliance Memory, Inc.
Detaljeret beskrivelse:
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, 3.3V, 2M x 32 SDRAM
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Interface - Analoge Switches, Multiplexere, Demult, PMIC - Gate Drivers, Ur / Timing - Anvendelsesspecifik, Interface - Sensor, Kapacitiv Touch, Logik - Komparatorer, Logik - Oversættere, Level Shifters, Interface - Voice Record og afspilning and Data Acquisition - Digitale til Analoge Omformere ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-6BIN elektroniske komponenter. AS4C2M32S-6BIN kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til AS4C2M32S-6BIN, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C2M32S-6BIN Produktegenskaber

Varenummer : AS4C2M32S-6BIN
Fabrikant : Alliance Memory, Inc.
Beskrivelse : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Del Status : Active
Hukommelsestype : Volatile
Hukommelsesformat : DRAM
Teknologi : SDRAM
Hukommelsesstørrelse : 64Mb (2M x 32)
Urfrekvens : 166MHz
Skriv cyklus Tid - Ord, Side : 2ns
Adgangstid : 5.4ns
Memory Interface : Parallel
Spænding - Supply : 3V ~ 3.6V
Driftstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Monteringstype : Surface Mount
Pakke / tilfælde : 90-TFBGA
Leverandør Device Package : 90-TFBGA (8x13)

Du kan også være interesseret i
  • AT27C4096-90PU

    Microchip Technology

    IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns

  • 71V3576S150PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.

  • 71V3577S75PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X

  • W94AD2KBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp

  • TC58BYG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • TC58BVG2S0HBAI4

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)