Microsemi Corporation - APTM20DAM08TG

KEY Part #: K6396591

APTM20DAM08TG Prissætning (USD) [1380stk Lager]

  • 1 pcs$31.54286
  • 100 pcs$31.38593

Varenummer:
APTM20DAM08TG
Fabrikant:
Microsemi Corporation
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Thyristorer - DIAC'er, SIDAC'er, Power Driver Modules, Dioder - Bridge Rectifiers, Thyristorer - TRIACs, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single and Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Microsemi Corporation APTM20DAM08TG elektroniske komponenter. APTM20DAM08TG kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til APTM20DAM08TG, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20DAM08TG Produktegenskaber

Varenummer : APTM20DAM08TG
Fabrikant : Microsemi Corporation
Beskrivelse : MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 200V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 208A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 280nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 781W (Tc)
Driftstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Chassis Mount
Leverandør Device Package : SP4
Pakke / tilfælde : SP4