Diodes Incorporated - DMN61D8LQ-13

KEY Part #: K6394587

DMN61D8LQ-13 Prissætning (USD) [555022stk Lager]

  • 1 pcs$0.06664
  • 10,000 pcs$0.05873

Varenummer:
DMN61D8LQ-13
Fabrikant:
Diodes Incorporated
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V SOT23.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - Bipolar (BJT) - Single, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Single, Dioder - Rectifiers - Single, Dioder - RF, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - RF, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Dioder - Zener - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Diodes Incorporated DMN61D8LQ-13 elektroniske komponenter. DMN61D8LQ-13 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til DMN61D8LQ-13, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8LQ-13 Produktegenskaber

Varenummer : DMN61D8LQ-13
Fabrikant : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 60V SOT23
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 60V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 470mA (Ta)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 390mW (Ta)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : SOT-23
Pakke / tilfælde : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3