Varenummer :
IPB80P04P4L06ATMA1
Fabrikant :
Infineon Technologies
Beskrivelse :
MOSFET P-CH TO263-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teknologi :
MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) :
40V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds :
6580pF @ 25V
Power Dissipation (Max) :
88W (Tc)
Driftstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype :
Surface Mount
Leverandør Device Package :
PG-TO263-3-2
Pakke / tilfælde :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB