Diodes Incorporated - DMN60H4D5SK3-13

KEY Part #: K6421202

DMN60H4D5SK3-13 Prissætning (USD) [389623stk Lager]

  • 1 pcs$0.09493
  • 2,500 pcs$0.08497

Varenummer:
DMN60H4D5SK3-13
Fabrikant:
Diodes Incorporated
Detaljeret beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252.
Producentens standard ledetid:
På lager
Opbevaringstid:
Et år
Chip fra:
Hong Kong
RoHS:
Betalingsmetode:
Forsendelsesmåde:
Familiekategorier:
KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Thyristorer - SCR'er, Dioder - Zener - Arrays, Transistorer - Bipolar (BJT) - RF, Thyristorer - SCR'er - Moduler, Transistorer - FET'er, MOSFET'er - Arrays, Dioder - Bridge Rectifiers, Dioder - Variabel Kapacitans (Varicaps, Varactors) and Dioder - Rectifiers - Arrays ...
Konkurrencefordel:
Vi er specialiserede i Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13 elektroniske komponenter. DMN60H4D5SK3-13 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til DMN60H4D5SK3-13, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN60H4D5SK3-13 Produktegenskaber

Varenummer : DMN60H4D5SK3-13
Fabrikant : Diodes Incorporated
Beskrivelse : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
Serie : -
Del Status : Active
FET Type : N-Channel
Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) : 600V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 273.5pF @ 25V
FET-funktion : -
Power Dissipation (Max) : 41W (Tc)
Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype : Surface Mount
Leverandør Device Package : TO-252, (D-Pak)
Pakke / tilfælde : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63