Vishay Siliconix - SI1067X-T1-E3

KEY Part #: K6408713

[532stk Lager]


    Varenummer:
    SI1067X-T1-E3
    Fabrikant:
    Vishay Siliconix
    Detaljeret beskrivelse:
    MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F.
    Producentens standard ledetid:
    På lager
    Opbevaringstid:
    Et år
    Chip fra:
    Hong Kong
    RoHS:
    Betalingsmetode:
    Forsendelsesmåde:
    Familiekategorier:
    KEY Components Co., LTD er en distributør af elektroniske komponenter, der tilbyder produktkategorier inklusive: Transistorer - IGBT'er - Arrays, Thyristorer - SCR'er, Transistorer - Særligt formål, Transistorer - IGBT'er - Single, Transistorer - JFET'er, Transistorer - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Dioder - Rectifiers - Arrays and Dioder - Zener - Single ...
    Konkurrencefordel:
    Vi er specialiserede i Vishay Siliconix SI1067X-T1-E3 elektroniske komponenter. SI1067X-T1-E3 kan sendes inden for 24 timer efter bestilling. Hvis du har krav til SI1067X-T1-E3, bedes du indsende en anmodning om tilbud her eller send os en e-mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI1067X-T1-E3 Produktegenskaber

    Varenummer : SI1067X-T1-E3
    Fabrikant : Vishay Siliconix
    Beskrivelse : MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F
    Serie : TrenchFET®
    Del Status : Obsolete
    FET Type : P-Channel
    Teknologi : MOSFET (Metal Oxide)
    Afløb til Source Voltage (VDSS) : 20V
    Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C : -
    Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.06A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds : 375pF @ 10V
    FET-funktion : -
    Power Dissipation (Max) : 236mW (Ta)
    Driftstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Monteringstype : Surface Mount
    Leverandør Device Package : SC-89-6
    Pakke / tilfælde : SOT-563, SOT-666